6月29日至30日，由我校、中国科学院上海微系统与信息技术研究所和弘模半导体技术(上海)有限公司联合主办的杭州国际紧凑型器件建模会议（MOS-AK），在我校举行。来自国内外高校、科研院所相关领域的专家以及国内主流的半导体厂、设计公司、EDA厂商相关人员近百人参加。

       我校“射频电路与系统”教育部重点实验室主任孙玲玲教授致开幕词，来自瑞士、德国、美国、中国的专家应邀作大会主题报告，13位国内外嘉宾分享了各自在模型领域的最新发现和研究成果。

       本次会议的议题主要围绕先进半导体技术及工艺，如CMOS、SOI、FINFET、III-V族，应用领域则主要集中在数字模拟、高频、高可靠性等方面。会上，我校“射频电路与系统”教育部重点实验室刘军博士、法国联合单片半导体简单股份公司Eric Leclerc博士、赛普拉斯半导体公司Helmut Puchner博士、IMS-LAB的Thomas Zimmer教授分别作了题为“A New Compact Model for FinFETs Accommodaing Inner Thermal Effects”“Latest improvements in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities”“Radiation Hardening of Memory Products”“Beyond 100GHz: Device characterization for THz application”的主题报告。清华大学王燕教授、中国科学院微电子研究所李泠博士、我校苏江涛博士等也作了精彩的主题演讲。

       本次研讨会促进了国内外半导体厂、设计公司、EDA厂商和科研机构在模型方面的交流，为大家了解器件模型领域的重大发展趋势提供了平台。研讨会也扩大了我校在器件与模型方向的影响，为实现先进工艺及MORE THAN MOORE模型产业本地化打下了扎实的基础。（电子信息学院）